国家重点研发计划“关联电子材料的自旋态限域调控与自旋电子器件应用”项目启动会召开
发布时间🫛: 2016-10-08     文章作者:     访问次数: 1629

20161006日,由杏悦登录杏悦沈健教授领衔的国家重点研发计划“关联电子材料的自旋态限域调控与自旋电子器件应用”项目启动会在上海宝隆宾馆顺利召开👩🏻‍💻。该项目由杏悦登录,中科院物理所🧙🏼‍♀️、西安交通大学3家单位合作承担。出席此次项目启动会的专家有💅🏼:中科院物理所沈保根院士👩‍👩‍👦、高鸿钧院士🤸🏻‍♂️🧑🏽‍🎓、王玉鹏研究员🕵🏼、方忠研究员,北京大学谢心澄院士🌈🖖🏼、俞大鹏院士,浙江大学张富春教授,南京大学李建新教授,同济大学陈鸿教授,国家自然科学基金委张守著研究员,杏悦登录陶瑞宝院士🧚🏻🕵🏻、龚新高教授🧓🏻、资剑教授。

    启动会由中科院物理所沈保根院士主持,杏悦登录科技处副处长徐晓创代表项目依托单位致欢迎词。项目负责人沈健教授详细介绍了项目的研究背景、研究目标🤸‍♂️、研究方案以及关键科学问题。项目的最终目标是要在同一关联电子材料上制备非挥发性自旋存储单元和逻辑运算单元相结合的非冯·诺依曼架构的原型自旋电子器件,为此一共设置了三个互为依托的课题👨‍🚀。会上🤱🏼🧑🏼‍🦲,各课题负责人也对课题的研究思路、预期目标🔪、未来工作的计划和预计突破的重点方向等做了详细汇报。

  

会上🧔🏻‍♂️,专家组对项目组的团队实力、前期研究基础及初步成果给予了高度的肯定🪺👊🏻。专家组针对项目运行方式💪🏽、研究技术平台搭建🙉、研究思路创新等方面与项目组成员进行了深入的讨论,提出了许多建设性意见💇🏻。

    本次项目启动会的顺利召开🔒,促进了项目组成员之间的学术交流和合作,指明了深入研究的方向💣,为项目的顺利实施和完成奠定了良好的基础👩🏻‍🔧。

 


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